Hitachi excavator piezak EX200-2/3/5 presio-interruptor sentsorea 4436271

Lan-mekanismoa

1) Efektu magnetoelektrikoa

Faraday-ren indukzio elektromagnetikoaren legearen arabera, bobinan sortutako indar elektroeragile induzituaren magnitudea bobinatik igarotzen den fluxu magnetikoaren aldaketa-tasaren araberakoa da N-bira bobina eremu magnetikoan mugitzen denean eta indar magnetikoaren lerroa mozten duenean ( edo bobina dagoen eremu magnetikoaren fluxu magnetikoaren aldaketa).

Mugimendu linealeko sentsore magnetoelektrikoa

Mugitzen den sentsore magnetoelektriko lineala iman iraunkor batek, bobina batek eta sentsoreen karkasa batek osatzen dute.

Maskorrak neurtu nahi den gorputz dardararekin bibratzen duenean eta bibrazio-maiztasuna sentsorearen maiztasun naturala baino askoz handiagoa denean, malgukia biguna delako eta zati mugikorren masa nahiko handia delako, beranduegi da zati mugikorrarentzat. dardara egiten duen gorputzarekin bibratu (geldi egon). Une honetan, imanaren eta bobinaren arteko mugimendu-abiadura erlatiboa bibragailuaren bibrazio-abiaduratik hurbil dago.

Birakaria mota

Burdina biguna, bobina eta iman iraunkorra finkoak dira. Material eroale magnetikoz egindako neurketa engranajea neurtutako gorputz birakarian instalatzen da. Hortz bat biratzen den bakoitzean, neurtzeko engranajearen eta burdina bigunaren artean sortutako zirkuitu magnetikoaren erresistentzia magnetikoa behin aldatzen da, eta fluxu magnetikoa ere behin aldatzen da. Bobinan induzitutako indar elektroeragilearen maiztasuna (pultsu kopurua) neurtzeko engranajearen hortz-kopuruaren eta biraketa-abiaduraren biderkaduraren berdina da.

Hall efektua

Erdieroale edo metalezko xafla bat eremu magnetiko batean jartzen denean, korronte bat (eremu magnetikoarekiko perpendikularra den xafla planoaren noranzkoan) zirkulatzen denean, indar elektroeragile bat sortzen da eremu magnetikoarekiko eta korrontearekiko noranzko perpendikularra. Fenomeno honi Hall efektua deitzen zaio.

Aretoko elementua

Gehien erabiltzen diren Hall materialak germanioa (Ge), silizioa (Si), indio antimoniuroa (InSb), indio artsenuroa (InAs) eta abar dira. N motako germanioa fabrikatzeko erraza da eta Hall koefiziente, tenperaturaren errendimendu eta linealtasun ona ditu. P motako silizioak linealtasun onena du, eta bere Hall koefizientea eta tenperaturaren errendimendua N motako germanioaren berdinak dira, baina elektroien mugikortasuna txikia da eta karga-ahalmena eskasa da, beraz, normalean ez da Hall bakar gisa erabiltzen. elementua.